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                发布时间:2024-08-19 15:16:29

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                复旦团队研发超快闪存集成工艺:20纳秒超快编程、10年非易失??pc蛋蛋预测99预测网站??Kx28.Com??开奖速度最〓快,高胜率预ξ 测??

                人工智能的飞速发展迫切需卐要高速非易失◇存储技术。当前主流非易失闪存的编程速度普遍在百微秒级,无法支撑应用需求。复旦大学周鹏-刘春森团队前期研究表▅明二维半导体结构能够将其速度提升一千倍以上,实现颠覆性的纳秒级超快存储闪存技术。然而,如何实现规模集成、走向真正ζ 实际应用仍极具挑战。

                从界面工程出发,团队在国际上首次实现了最大规模1Kb纳秒超快闪存阵列集成验证,并证明了其超快特性可延伸至亚10纳米。北京时间8月12日下午,相关成果以《二维超快闪存的规模集成工艺》(“A scalable integration process for ultrafast two-dimensional flash memory”)为题发表于《自然-电子学》(Nature Electronics)。

                超快闪存集成工艺和统计性能?复旦大学供图

                澎湃新闻记者从复旦大学方面获悉,团队开发了超界面工程技术,在规模化二维闪存中实现了具备原子级平整度的异质界面,结合高精度的表征技术,显示集成工艺显著优于国际水平。通过严格的直流存储窗口、交流脉冲存储性能测试,证实了二维新机制闪存在1Kb存储规模中,纳秒级非易失编程速度下良率高达98%,这一良率已高于国际半导体技术路线图(International Technology Roadmap for Semiconductors)对闪存制造89.5%的良率要求。

                同时,研究团队研发了不依赖◣先进光刻设备的自对准工艺,结合原始创新的超快存¤储叠层电场设计理论,成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件,是当前国际最短沟道闪存器件,并突破了硅基闪存物理尺寸极限(约15纳米)。在原子级薄层沟道支持下,这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储性能。本工作将推动超快颠覆性闪存技术的产ぷ业化应用。

                复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院刘春森研究员和微电子学院周鹏教授∩为论文通讯作者,刘春森研究员和博士生江勇波、曹振远为论文第一作者。研究工作得到了科技部重点研发计划、基金委重要领军人才计划、上海市基础研究特区计划、上海市启明星等项目的资助,以及教育部创新平台的支持。